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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全希思黎什么档次的品牌，希思黎和雅诗兰黛哪个档次高审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范希思黎什么档次的品牌，希思黎和雅诗兰黛哪个档次高产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(b希思黎什么档次的品牌，希思黎和雅诗兰黛哪个档次高ǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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